这个时候发这篇文章难免有蹭热点的嫌疑。但作为一个计算机体系结构的研究生，在这些名词满天飞的时候，我的好奇心是抑制不住的，想一探这几样技术的究竟。本文不对某一特定事件进行点评，仅从技术角度分析对比一下这三种技术。就算是当做自己的技术储备+科普了。首先，这三种技术都是属于闪存（Flash Memory）的不同种类，区
NandFlash存储器由多个Block组成，每一个Block又由多个Page组成，Page的大小一般为2K+64Bytes或512+16Bytes。Page是读取和编程的基本单位，而擦除的基本单位是Block。图1 NAND Flash的存储结果NAND Flash的页，包含主区（Main Area）和备用区（Spare Area）两个域，“主区”中有512*8（或256*16）或2048*8（或1024*16）个位
剖析NAND Flash的编程结构上一篇文章我们介绍了NAND Flash和NOR Flash的区别，从结构及原理上看，NOR Flash这种类似ROM的结构方式，使得他编程简单，所以使用的工程师也很多，要不是成本太高，NAND Flash根本无法生存。NAND Flash由于价格低廉，存储容量大，越来越受到消费者的喜爱，特别是需要存储大量数据的消费者。那NAN
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